胡廷伟，博士，副教授，硕导

卫生分析化学与检验教研室副主任              

邮箱: htingwei1236@mail.xjtu.edu.cn

地址:海南省海口市龙华区城西镇学院路3号

研究方向：二维材料；金属纳米材料自组装；

生物传感器及应用；

个人简介

胡廷伟，博士，mg4355线路检测官网热带医学院副教授，海南省拔尖人才，mg4355线路检测官网领军人才，美国加州大学尔湾分校访问学者。胡廷伟博士毕业于香港城市大学、西安交通大学，曾获得博士研究生国家奖学金，西安交通大学优秀研究生。胡廷伟博士现任分析化学与检验检验室副主任（主持工作），担任《空气理化》、《生物材料》等课程负责人。主要研究方向为：SiC外延石墨烯的制备、改性及应用；金属纳米材料的分子束外延生长及原位分析；纳米粒子合成、组装及其在生物监测方面的应用研究。主持2项国家/省部级基金（1项青年基金、1项中国博士后基金），参与1项国家重点基础研究发展计划项目（973）、3项国家自然科学基金面上项目、2项陕西省自然科学基金。发表高水平学术论文20余篇，其中一作/通讯作者共12篇，近五年内共发表5篇一区（中科院分区标准），授权2项中国发明专利。

教育经历

工作经历

科研项目及荣誉

荣誉

2020，海南省拔尖人才（D）；

2019，mg4355线路检测官网领军人才（C）；

2014，中国航天科技集团企业奖学金；

2013，中国博士国家奖学金；

2013，西安交通大学优秀研究生；

2012，西安交通大学一等奖学金；

2011，南京大学优秀论文奖；

主持基金

1. 石墨烯大面积制备过程中的金属原子同步掺杂及其物理效应研究，国家自然科学青年基金，51601142，2017.01-2019.12；

2. 石墨烯模板诱导金属二维结构超薄膜的制备及机理研究，中国博士后基金，2016M592785，2015.10-2017.10；

3. 石墨烯与金属交互作用的研究，中央高效基本业务费，2016.01-2018.12；

4. 二维受限金属的制备及插层机理分析，海南省高层次人才基金，521RC555，2021.09-2024.06；

主要参与基金

1. TMDs二维原子晶体的2H－1T相变及界面特性增强机制研究，国家自然科学基金面上项目，51771144，2018.01-2021.12；

2. TMD/石墨烯的叠层结构稳定性及其光电特性的应变调控研究，国家自然科学基金面上项目，51471130，2015.01-2018.12；

3. 先进薄膜与生物涂层创新团队，陕西省科学技术厅，2019TD-020，2019.01-2021.12；

4. 薄膜材料的制备及界面特性研究，陕西省科学技术厅，2019JLM-30， 2019.01-2021.12；

科研成果

一作/通讯作者SCI论文（*通讯作者）

1. Hu, T.W., D.Y. Ma, F. Ma, K.W. Xu, Preferred armchair edges of epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) by thermal decomposition. Applied Physics Letters, 2012, 101: 241903.

2. Hu, T.W., F. Ma, D.Y. Ma, D. Yang, X.T. Liu, K.W. Xu, P.K. Chu, Evidence of atomically resolved 6×6 buffer layer with long-range order and short-range disorder during formation of graphene on 6H-SiC by thermal decomposition. Applied Physics Letters, 2013, 102: 171910.

3. Hu, T., D. Ma, F. Ma, K. Xu, P.K. Chu, Direct and diffuse reflection of electron waves at armchair edges of epitaxial graphene. RSC Advances, 2013, 3: 25735.

4. Hu, T.W., X.T. Liu, F. Ma, D.Y. Ma, K.W. Xu, P.K. Chu, High-quality, single-layered epitaxial graphene fabricated on 6H-SiC (0001) by flash annealing in Pb atmosphere and mechanism. Nanotechnology, 2015, 26: 105708.

5. Hu, T., H. Bao, S. Liu, X. Liu, D. Ma, F. Ma, K. Xu, Near-free-standing epitaxial graphene on rough SiC substrate by flash annealing at high temperature. Carbon, 2017, 120: 219-225.

6. Hu, T., Q. Fang, X. Zhang, X. Liu, D. Ma, R. Wei, K. Xu, F. Ma, Enhanced n-doping of epitaxial graphene on SiC by bismuth. Applied Physics Letters, 2018, 113: 011602.

7. Hu, T.*, X. Hui, X. Zhang, X. Liu, D. Ma, R. Wei, K. Xu, F. Ma, Nanostructured Bi grown on epitaxial graphene/SiC. The Journal of Physical Chemistry Letters, 2018, 9: 5679-5684.

8. Hu, T.*, X. Liu, D. Ma, R. Wei, K. Xu, F. Ma, Formation of Micro- and Nano-Trenches on Epitaxial Graphene. Applied Sciences, 2018, 8: 2518.

9. Hu, T., D. Ma, Q. Fang, P. Zhang, X. Liu, R. Wei, Y. Pan, K. Xu, F. Ma, Bismuth mediated defect engineering of epitaxial graphene on SiC(0001). Carbon, 2019, 146: 313-319.

10. Hu, T., D. Yang, W. Hu, Q. Xia, F. Ma, K. Xu, The structure and mechanism of large-scale indium-intercalated graphene transferred from SiC buffer layer. Carbon, 2021, 171: 829-836.

11. Hu, T., D. Yang, H. Gao, Y. Li, X. Liu, K. Xu, Q. Xia, F. Ma, Atomic structure and electronic properties of the intercalated Pb atoms underneath a graphene layer. Carbon, 2021, 179: 151-158.

12. Yang, D., Q. Xia, H. Gao, S. Dong, G. Zhao, Y. Zeng, F. Ma, T. Hu*, Fabrication and mechanism of Pb-intercalated graphene on SiC. Applied Surface Science, 2021, 569: 151012.

中国专利

1. 胡廷伟; 马飞; 徐可为; 马大衍; 刘祥泰; 张晓荷; 一种金属原子掺杂的大面积规则外延石墨烯的制备方法, 2019-7-3, ZL201710552408.3

2. 惠欣; 胡廷伟; 杨东; 马飞; 马大衍; 徐可为; 一种利用金属插层大面积制备单层石墨烯的方法, 2021-7-13, ZL201911013432.5